韩国警方正加强打击产业间谍,首尔中央地方法院周五(12月15日)批准逮捕涉嫌将半导体核心技术泄露给中国公司的三星电子前员工及其合作厂商。
一名金姓三星电子前部长与一名方姓合作厂商,涉嫌违反韩国《产业技术保护法》,将18纳米级DRAM(动态随机存取存储器)核心技术非法转让给中国存储芯片制造商“长鑫存储技术有限公司”(CXMT)。
韩国检方认为,金某等人2016年跳槽到长鑫存储(CXMT)时,不仅转让了半导体“沉积技术”相关资料,还泄露了其他7个核心技术资料,并以此收受财物。
韩国检方还认为,金某还以税后5亿韩元(约38万5千元美金)的报酬带走了三星电子及有关公司的20多名技术人员。
据《韩国经济日报》报道,技术泄漏造成的损失可能约为2.3万亿韩元(18亿美元),且此案还涉及三星电子供应商的其他数十人。
全球最大的存储芯片制造商三星对此没有评论。
总部位于合肥的长鑫存储(CXMT)拒绝就此事发表具体评论,但在一份声明中表示,它尊重知识产权,并拥有健全机制防止来自其员工的第三方信息流入。
长鑫存储(CXMT)是中国DRAM内存芯片制造商的领导品牌。美国国会众议院美国与中共战略竞争特设委员会主席、共和党籍众议员加拉格尔(Mike Gallagher)今年5月曾呼吁美国商务部应立即将长鑫存储(CXMT)列入实体清单中,“确保美国技术,无论规格如何,都不会落入长鑫存储(CXMT)、长江存储(YMTC)或其他在该行业运营的中国企业手里”。
根据韩国警察厅统计,今年2月至10月技术外泄案件较去年增加75%,是近十年来的最高水平。韩国警察厅国家侦查本部已决定在安保侦查局下新设“反间谍经济安保侦查系”,将现有的经济安保侦查特别工作组(TF)和外事局的外事安保系相合并,应对产业技术外流对国家安全造成的影响。
在韩国加强打击产业间谍之际,一名前三星电子高管因涉嫌盗取机密并企图在中国设立山寨版三星电子半导体工厂,被逮捕起诉。不过该名高管上个月获得了保释,引发业界对“轻饶”商业秘密犯罪的担忧。
(此文依据了路透社的报道)
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